一种光写入的非易失性磁存储器

摘要

本发明涉及一种光写入的非易失性磁存储器，由光源控制模块、磁隧道结、读写控制电路构成；光源控制模块由字线、位线、光源点阵构成，点阵与磁隧道结阵列一一对应，通过字线和位线可以控制点阵任意点光源的状态，完成对单个磁隧道结存储状态的写入；读写控制电路由字线、位线、晶体管、灵敏放大器及附属电路构成，进行存储单元的选通和读写控制；磁隧道结由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁参考层、隧穿层一、光敏非磁层、隧穿层二、铁磁自由层、顶端电极；其中铁磁自由层和铁磁参考层位置可互换。本发明可实现数据光写入，减小了隧穿电流，降低了功耗，具有非易失性，降低了写入过程中能耗和延迟，在便于器件小型化的同时降低比特误码率。

主权项

一种光写入的非易失性磁存储器，其特征在于：该磁存储器由三部分构成：光源控制模块、磁隧道结、读写控制电路；光源控制模块由字线、位线、光源点阵构成，该点阵与磁隧道结阵列一一对应，通过字线和位线可以控制点阵任意点光源的状态，从而完成对单个磁隧道结存储状态的写入；读写控制电路由字线、位线、晶体管、灵敏放大器及附属电路构成，进行存储单元的选通和读写控制；磁隧道结的结构由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁参考层、隧穿层一、光敏非磁层、隧穿层二、铁磁自由层、顶端电极；其中铁磁自由层和铁磁参考层的位置可以互换。