发明名称 |
微发光二极管及其制造方法和显示器 |
摘要 |
本发明公开了一种微发光二极管及其制备方法和显示器,该方法包括:形成缓冲层柱体;在缓冲层柱体外壁依次形成PN结的构成层体;在PN结的构成层体外侧形成第一电极,且去掉缓冲层柱体后,在PN结的构成层体内侧形成第二电极,第一电极和第二电极在PN结的构成层之外相互绝缘。通过上述方法制成的微发光二极管为管状结构,管状的微发光二极管结构能有效降低第一电极和第二电极之间经由PN结的构成层通路的阻抗,从而提高导电率,增加微发光二极管的发光效率;同时,其微米管/纳米管的结构增加了PN结的有效作用面积,增加电流密度,从而有效提高微发光二极管的发光效率,改善微发光二极管的单色性。 |
申请公布号 |
CN106229394A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610910337.5 |
申请日期 |
2016.10.19 |
申请人 |
武汉华星光电技术有限公司 |
发明人 |
梁博;王威 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
钟子敏 |
主权项 |
一种微发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:形成缓冲层柱体;在所述缓冲层柱体外壁依次形成PN结的构成层体;在所述PN结的构成层体外侧形成第一电极,且去掉所述缓冲层柱体后,在所述PN结的构成层体内侧形成第二电极,所述第一电极和第二电极在所述PN结的构成层之外相互绝缘。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 |