发明名称 微发光二极管及其制造方法和显示器
摘要 本发明公开了一种微发光二极管及其制备方法和显示器,该方法包括:形成缓冲层柱体;在缓冲层柱体外壁依次形成PN结的构成层体;在PN结的构成层体外侧形成第一电极,且去掉缓冲层柱体后,在PN结的构成层体内侧形成第二电极,第一电极和第二电极在PN结的构成层之外相互绝缘。通过上述方法制成的微发光二极管为管状结构,管状的微发光二极管结构能有效降低第一电极和第二电极之间经由PN结的构成层通路的阻抗,从而提高导电率,增加微发光二极管的发光效率;同时,其微米管/纳米管的结构增加了PN结的有效作用面积,增加电流密度,从而有效提高微发光二极管的发光效率,改善微发光二极管的单色性。
申请公布号 CN106229394A 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201610910337.5 申请日期 2016.10.19
申请人 武汉华星光电技术有限公司 发明人 梁博;王威
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人 钟子敏
主权项 一种微发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:形成缓冲层柱体;在所述缓冲层柱体外壁依次形成PN结的构成层体;在所述PN结的构成层体外侧形成第一电极,且去掉所述缓冲层柱体后,在所述PN结的构成层体内侧形成第二电极,所述第一电极和第二电极在所述PN结的构成层之外相互绝缘。
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