隔离之相转换记忆体及其制造方法

摘要

一种记忆装置其包括有改良的热传导特征。此装置首先包括一介电材料层；第一及第二电极，其系垂直地分隔并包括有彼此相对之接触表面。一相转换记忆元件系包覆于此介电材料层中，其包括一相转换层位于此些电极之间并与之形成电接触，其中此相转换层之横向宽度系少于此些电极之横向宽度。一隔离材料系位于此相转换层与此介电层之间，其中此隔离材料之导热性系低于此介电材料之导热性。

主权项

一种记忆装置，其包括：一介电材料层；第一及第二电极，其系垂直地分离并包括有彼此相对之接触表面；以及一相转换记忆元件(phase change memory element)，其系被包覆于该介电材料层中，包括：一相转换层，其系位于该些电极之间且与该些电极形成电性接触，其中该相转换层之横向宽度系短于该些电极之横向宽度；以及隔离材料，其系位于该相转换层以及该介电材料层之间，其中该隔离材料之导热性系低于该介电材料之导热性；复数个导电金属层，其系插设于该第一电极以及该相转换记忆元件之间，以及插设于该相转换记忆元件与该第二电极之间。