发明名称 УСТРОЙСТВО НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ ДЕТАЛИ ПУТЕМ АНАЛИЗА МАГНИТНОГО ПОЛЯ УТЕЧКИ
摘要 1. Устройство (1) неразрушающего контроля электропроводящей детали (4), содержащее средства генерирования магнитного поля возбуждения, отличающееся тем, что упомянутые средства генерирования интегрированы в подложку (2), выполненную с возможностью покрывания зоны поверхности упомянутой контролируемой детали, и ! средства измерения распределения магнитного поля утечки, излучаемого упомянутой контролируемой деталью, на которую действует упомянутое магнитное поле возбуждения, когда упомянутая подложка находится на поверхности зоны детали, и тем, что упомянутые средства измерения распределения магнитного поля наложены на упомянутые средства генерирования. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что упомянутая подложка (2) является гибкой подложкой, предназначенной для покрывания упомянутой зоны детали (4), следуя форме детали. ! 3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что упомянутые средства измерения содержат набор микродатчиков, выполненных с возможностью генерирования картографии распределения магнитного поля утечки на поверхности упомянутой детали. ! 4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что размеры и расположение микродатчиков определяют таким образом, чтобы они могли обнаруживать изменения распределения магнитного поля утечки, вызванные присутствием дефекта, имеющего наименьшие размеры, детектирование которого добиваются. ! 5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что упомянутые средства генерирования упомянутого магнитного поля возбуждения содержат сеть микрокатушек (6), при этом через каждую из упомянутых микрокатушек проходит переменный ток для генерирования упомянутого магнитного поля возб
申请公布号 RU2008151180(A) 申请公布日期 2010.06.27
申请号 RU20080151180 申请日期 2007.05.16
申请人 ЭРБЮС ФРАНС (FR) 发明人 ДЕ СМЕ Мари-Анн (FR)
分类号 G01N27/87 主分类号 G01N27/87
代理机构 代理人
主权项
地址