| 发明名称 | 一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法属集成电路芯片材料的技术领域。通过改进传统SOI结构中绝缘材料，制得以纳米抗辐射材料，如纳米金刚石，掺氮纳米金刚石，纳米氮化硼等作为绝缘层(8)的新型SOI结构。采用注氢键合技术和化学气相沉积方法，制成连接器件表层硅(3)-纳米绝缘层(8)-金刚石膜或/和单晶体Si衬底(4)的SOI结构。这种结构不仅具有传统SOI和SOD结构的优势，而且工艺更为简单，增强抗总剂量辐射，进一步提高SOI器件的总体抗辐射能力。适用于航空、航天、军工等领域的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101587902A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200910067164.5 | 申请日期 | 2009.06.23 |
| 申请人 | 吉林大学 | 发明人 | 李红东;吕宪义;卢冬;成绍恒;邹广田 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 王恩远 |
| 主权项 | 1、一种纳米绝缘体上硅结构材料，按顺序主要由硅表层(3)、绝缘层(8)和衬底(4)构成；其特征在于，所述的绝缘层(8)是纳米材料的绝缘层，纳米材料为纳米金刚石膜、掺氮纳米金刚石膜或纳米氮化硼膜，绝缘层(8)厚度为0.1～10μm；所述的衬底(4)为微米多晶金刚石衬底(7)或单晶或多晶硅衬底(6)。 | ||
| 地址 | 130012吉林省长春市前进大街2699号 | ||