发明名称 |
加速度传感器 |
摘要 |
本发明提供一种具有高耐冲击力的加速度传感器,当向加速度传感器施加过度加速时,其不会被破坏,而是能够展现稳定的感应性能。加速度传感器由三层结构的SOI衬底11形成,所述三层结构包括硅层12(活性层硅)、二氧化硅层13和硅层14(衬底硅)。加速度传感器包括:框架部分23和27;多个梁部分22,梁部分从框架部分向内伸出;和由梁部分22支撑的重物部分21;以及设在梁部分2a的每一部分上的应变感应部分。梁部分22的每一部分的宽度W、梁部分22的每一部分的长度I以及框架部分23的内部框架长度L满足表达式(1)和(2)的下述关系:2<L/I≤2.82 表达式(1);I/W≤3.68 表达式(2)。 |
申请公布号 |
CN101587131A |
申请公布日期 |
2009.11.25 |
申请号 |
CN200910203811.0 |
申请日期 |
2009.05.13 |
申请人 |
大日本印刷株式会社 |
发明人 |
前川慎志 |
分类号 |
G01P15/08(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01P15/08(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
谭佐晞;曹 若 |
主权项 |
1、一种由三层结构的SOI衬底形成的加速度传感器,所述三层结构包括硅层(活性层硅)、氧化硅层和硅层(衬底硅),所述加速度传感器包括:框架部分;多个梁部分,所述梁部分从所述框架部分向内伸出;以及由所述梁部分支撑的重物部分;其中:所述梁部分的每一部分设有应变感应部分;以及所述梁部分的每一部分的宽度W、所述梁部分的每一部分的长度I和所述框架部分的内部框架长度L满足表达式(1)和(2)的下述关系:2<L/I≤2.82 表达式(1)I/W≤3.68 表达式(2)。 |
地址 |
日本东京都 |