发明名称 加速度传感器
摘要 本发明提供一种具有高耐冲击力的加速度传感器,当向加速度传感器施加过度加速时,其不会被破坏,而是能够展现稳定的感应性能。加速度传感器由三层结构的SOI衬底11形成,所述三层结构包括硅层12(活性层硅)、二氧化硅层13和硅层14(衬底硅)。加速度传感器包括:框架部分23和27;多个梁部分22,梁部分从框架部分向内伸出;和由梁部分22支撑的重物部分21;以及设在梁部分2a的每一部分上的应变感应部分。梁部分22的每一部分的宽度W、梁部分22的每一部分的长度I以及框架部分23的内部框架长度L满足表达式(1)和(2)的下述关系:2<L/I≤2.82 表达式(1);I/W≤3.68 表达式(2)。
申请公布号 CN101587131A 申请公布日期 2009.11.25
申请号 CN200910203811.0 申请日期 2009.05.13
申请人 大日本印刷株式会社 发明人 前川慎志
分类号 G01P15/08(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 主分类号 G01P15/08(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 谭佐晞;曹 若
主权项 1、一种由三层结构的SOI衬底形成的加速度传感器,所述三层结构包括硅层(活性层硅)、氧化硅层和硅层(衬底硅),所述加速度传感器包括:框架部分;多个梁部分,所述梁部分从所述框架部分向内伸出;以及由所述梁部分支撑的重物部分;其中:所述梁部分的每一部分设有应变感应部分;以及所述梁部分的每一部分的宽度W、所述梁部分的每一部分的长度I和所述框架部分的内部框架长度L满足表达式(1)和(2)的下述关系:2<L/I≤2.82 表达式(1)I/W≤3.68 表达式(2)。
地址 日本东京都