PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD

摘要

본 발명은 전반적으로 가스 소스로부터 분리된 위치에서 후면판에 결합되는 RF 전력 소스를 구비하는 플라즈마 강화 기상 증착(PECVD) 처리 챔버를 포함하고 있다. 공정 챔버 내의 RF 전력으로부터 분리된 위치로 가스를 공급함으로써, 공정 챔버에 이르는 가스 튜브 내의 기생 플라즈마 형성이 감소될 수 있다. 가스는 챔버의 복수의 위치에 공급될 수 있다. 각 위치에서, 가스가 RF 초크 또는 RF 저항기뿐만 아니라 원격 플라즈마 소스를 통과하도록 함으로써, 가스가 가스 소스로부터 공정 챔버로 공급될 수 있다.