用以决定应用于微影制程之光源品质的方法;METHODS OF DETERMINING QUALITY OF A LIGHT SOURCE

摘要

本发明提供一种用以决定应用于微影制程之光源品质的方法。将一影像感测器阵列曝光于一光源之光。收集对应于一瞳孔图像之复数位置的位址及个别的强度，其系表示该光源之光在该影像感测器阵列上的强度。依据收集之该位址及强度，定义该瞳孔图像之内曲线及外曲线之至少一者。若该位址具有一预设的模式与该内曲线及该外曲线中至少一者相关，将该光源用于一微影制程。

主权项

1.一种用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其包括：将一影像感测器阵列曝光于一光源之光；收集对应于一瞳孔图像之复数位置的位址及个别的强度，其系表示该光源之光在该影像感测器阵列上的强度；依据收集之该位址及强度，定义该瞳孔图像之内曲线及外曲线之至少一者；以及若该位址具有一预设的模式与该内曲线及该外曲线中至少一者相关，将该光源用于一微影制程。 ;2.如申请专利范围第1项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该内曲线及该外曲线包含下列至少一者：圆形、椭圆形、及一部份圆形。 ;3.如申请专利范围第1项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该内曲线之半径系定义为从该瞳孔图像中央到对应于总强度之7.5%~12.5%之位址的距离，其中该总强度系为该收集之强度的和。 ;4.如申请专利范围第1项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该内曲线之位址对应之强度具有相同或几乎相同的标准化强度。 ;5.如申请专利范围第4项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中几乎所有的对应于一标准化强度之10%的位址，都落在一第一环与一第二环之间的范围，其中该第一环围住对应于该总强度之约7.5%之复数位址，该第二环围住对应于该总强度之约12.5%之复数位址。 ;6.如申请专利范围第1项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该外曲线围住之点对应之位址系为在该总强度之约87.5%及约92.5%之间。 ;7.如申请专利范围第6项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该外曲线之位址对应之强度具有相同或几乎相同的标准化强度。 ;8.如申请专利范围第7项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中几乎所有的对应于一标准化强度之90%的位址，都落在一第一环与一第二环之间的范围，其中该第一环围住对应于该总强度之约87.5%之复数位址，该第二环围住对应于该总强度之约92.5%之复数位址。 ;9.如申请专利范围第1项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，进一步包含：将该位址及该强度转换为一三次元图像；定义该内曲线，其围住之位址之强度和为该总强度之约10%；定义该外曲线，其围住之位址之强度和为该总强度之约90%；以及将该三次元图像横剖，以产生介于该内曲线及该外曲线之一强度分布模式。 ;10.如申请专利范围第9项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该强度分布模式系由一多项式回归方法所产生。 ;11.如申请专利范围第1项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，进一步包含：将该位址及该强度转换为一三次元图像；定义该内曲线，其围住之位址之强度和为该总强度之约7.5%~12.5%；定义该外曲线，其围住之位址之强度和为该总强度之约87.5%~92.5%；以及将该三次元图像横剖，以产生介于该内曲线及该外曲线之一强度分布模式。 ;12.一种用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其包括：将一影像感测器阵列曝光于一光源之光；收集对应于一瞳孔图像之复数位置的位址及个别的强度，其系表示该光源之光在该影像感测器阵列上的强度；将该收集之强度加总，以计算一总强度；依据收集之该位址及强度，定义该瞳孔图像之内曲线及外曲线之至少一者，其中该内环围住对应于该总强度之约10%之复数位址，该外环围住对应于该总强度之约90%之复数位址；以及若该位址具有一预设的模式与该内曲线及该外曲线中至少一者相关，将该光源用于一微影制程。 ;13.如申请专利范围第12项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该内环之位址对应之强度具有相同或几乎相同的标准化强度。 ;14.如申请专利范围第13项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中几乎所有的对应于标准化强度之10%的位址，都落在一第一环与一第二环之间的范围，其中该第一环围住对应于该总强度之约7.5%之复数位址，该第二环围住对应于该总强度之约12.5%之复数位址。 ;15.如申请专利范围第12项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中该外环之位址对应之强度具有相同或几乎相同的标准化强度。 ;16.如申请专利范围第15项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中几乎所有的对应于标准化强度之90%的位址，都落在一第一环与一第二环之间的范围，其中该第一环围住对应于该总强度之约87.5%之复数位址，该第二环围住对应于该总强度之约92.5%之复数位址。 ;17.如申请专利范围第12项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，进一步包含：将该位址及该强度转换为一三次元图像；定义该内曲线，其围住之位址之强度和为该总强度之约10%；定义该外曲线，其围住之位址之强度和为该总强度之约90%；以及将该三次元图像横剖，以藉由一多项式回归方法产生介于该内曲线及该外曲线之一强度分布模式。 ;18.如申请专利范围第12项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中以该微影制程制造一半导体晶圆。 ;19.一种用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其包括：将一影像感测器阵列曝光于一光源之光；收集对应于一瞳孔图像之复数位置的位址及个别的强度，其系表示该光源之光在该影像感测器阵列上的强度；在该瞳孔图像上定义复数区段，其中每一该区段包含复数位置和个别之标准化强度；在该瞳孔图像上定义一外曲线；计算每一该区段之有效区域；计数有效区域大于一第一预定值之区段数目；以及若有效区域大于该第一预定值之该区段的数目大于一第二预定值，则将该光源用于一微影制程。 ;20.如申请专利范围第19项所述之用以决定应用于微影制程之光源品质的方法，其中以该微影制程制造一半导体晶圆。;第1A及1B图显示瞳孔图像的图片。;第2A到2C图显示不同实施例之瞳孔图像的图片。;第3图显示依据本发明实施例之决定光源品质的方法之流程图。;第4A图显示依据实施例在座标转换之后的瞳孔图像。;第4B图显示依据实施例具有内环和外环的瞳孔图像。;第5A图显示在第4B图中内环C1和强度轮廓线C3之关系的示意图。;第5B图显示在第4B图中外环C2和强度轮廓线C4之关系的示意图。;第6A图显示依据本发明实施例之决定光源品质的方法之流程图。;第6B图显示依据本发明实施例之三次元瞳孔图像。;第6C图系为沿着穿过第6B图之三次元瞳孔图像650的中心C的横剖线6C-6C之横剖视图。;第7A图显示依据本发明实施例之决定光源品质的方法之流程图。;第7B图显示瞳孔图像分割为区段之示意图。;第7C图显示第7B图之第一区段放大的示意图。;第7D图显示步骤730中转换的示意图。;第7E图显示步骤730中转换的示意图。