窒化ケイ素の選択的なエッチング

摘要

パターン形成されたヘテロジニアス構造上で窒化ケイ素をエッチングする方法が、説明され、それはフッ素含有前駆体並びに窒素及び酸素含有前駆体から生成される遠隔プラズのマエッチングを含む。２つの遠隔プラズマからのプラズマ流出物が、基板処理領域の中に流され、そこでプラズマ流出物は窒化ケイ素と反応する。プラズマ流出物はパターン形成されたヘテロジニアス構造と反応し、ポリシリコンなどのケイ素を非常に遅く除去する一方で、選択的に窒化ケイ素を除去する。直列又は並列に配置され得る異なった（しかし、重なっている可能性もある）プラズマ経路を用いて、フッ素含有前駆体並びに窒素及び酸素含有前駆体を導入することによって、部分的に、窒化ケイ素の選択性がもたらされる。【選択図】図３Ａ