METHOD FOR MANUFACTURING A CAPACITOR BY FORMING A SILICON ELECTRODE HAVING HEMISPHERICAL SILICON GRAINS,申请号EP20000972125-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR MANUFACTURING A CAPACITOR BY FORMING A SILICON ELECTRODE HAVING HEMISPHERICAL SILICON GRAINS
摘要
申请公布号	EP1224692(B1)	申请公布日期	2007.12.12
申请号	EP20000972125	申请日期	2000.10.13
申请人	INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP.	发明人	TEWS, HELMUT HORST;LEE, BRIAN
分类号	H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/318;H01L21/8242;H01L27/108	主分类号	H01L21/02
代理机构		代理人
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