| 发明名称 | 获得用于具有非常短余辉的CT的Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>S∶Pr的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有非常短余辉的Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>S∶M荧光陶瓷材料，其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>S∶M荧光陶瓷材料进一步包括：铕≤1wt.ppm，基于Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>2</SUB>S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。 | ||
| 申请公布号 | CN101163774A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200680013000.9 | 申请日期 | 2006.04.13 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | C·R·朗达;G·泽特勒;D·沃多;H·韦科雷克;H·施赖尼马彻 |
| 分类号 | C09K11/77(2006.01);G21K4/00(2006.01) | 主分类号 | C09K11/77(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 龚海军;谭祐祥 |
| 主权项 | 1.一种具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其特征在于，M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，所述Gd2O2S:M荧光陶瓷材料包括附加的：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||