| 发明名称 | 在半导体本体内制造接触孔的方法以及半导体结构 | ||
| 摘要 | 在来自这样结构的半导体本体(1)内制造接触孔(12)的方法，其中：在半导体本体(1)内提供了多个相互之间通过台面区(3)隔离的沟槽(2)，在沟槽(2)内提供电极(4)，电极通过第一绝缘层(6)与半导体本体(1)电绝缘，且电极的上端比沟槽的上端位于更深的深度。该方法包括如下两个步骤：通过使结构的表面经历热氧化处理来产生第二绝缘层(10)，它覆盖结构表面的至少部分(7、8、9)，且以半导体本体(1)在台面区(3)的区域暴露的方式进行平坦化处理，且使用在平坦化处理后剩余的第二绝缘层(10)的剩余物作为接触孔掩模以在台面区(3)形成接触孔(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN100501946C | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200510125559.8 | 申请日期 | 2005.11.25 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·佩尔茨尔 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 原绍辉 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，其具有半导体本体(1)，其中提供了多个相互之间通过台面区(3)隔离的沟槽(2)，在沟槽(2)的每个内提供电极(4、5)，该电极通过相应的绝缘物(6、10、11)与它的周围电绝缘，且该电极的上端比相应沟槽的上端位于更深的深度，其中沟槽(2)的每个在上部区域具有扩展部分，所述的扩展部分至少部分地被填充有相应的绝缘物(6)，且绝缘物(10)的侧向边界选择为使得绝缘物可被用作在台面区中形成接触孔(12)的接触孔掩模，其中扩展部分具有漏斗形形状；其中每个电极上端的垂直位置位于相应的漏斗形扩展部分的下端垂直位置的上方；以及其中所述绝缘物(10)被设置为由热氧化形成的结构。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||