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Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium mit einer Zone, DZ, die frei von BMD-Defekten ist und mit einem an die DZ angrenzenden Bereich mit BMD-Defekten, umfassend das Ziehen eines Einkristalls aus Silizium gemäß der Czochralski-Methode; das Verarbeiten des Einkristalls zu einer polierten, einkristallinen Substratscheibe aus Silizium, die von einem Zentrum bis zu einem Rand aus N-Gebiet besteht oder COP-Defekte aufweist, deren Größe mehr als 20 nm beträgt und deren mittlere Dichte weniger als 2,5 × 105/cm3 ist, und die eine Stickstoff-Konzentration von nicht mehr als 1 × 1012 Atome/cm3 und eine Sauerstoff-Konzentration von nicht weniger als 5,2 × 1017 Atome/cm3 und nicht mehr als 6,0 × 1017 Atome/cm3 aufweist; das schnelle Erhitzen und Abkühlen der Substratscheibe in einer Atmosphäre, die aus NH3 und Argon im Volumen-Verhältnis von nicht weniger als 1:25 und nicht mehr als 1:5 besteht, auf eine Temperatur im Temperaturbereich von nicht weniger als 1165°C und nicht mehr als 1180°C und mit einer Aufheizgeschwindigkeit und einer Abkühlgeschwindigkeit von nicht weniger als 30 K/s und nicht mehr als 50 K/s, wobei eine Verweildauer im Temperaturbereich 10 bis 25 s beträgt; das langsame Erhitzen der schnell erhitzten und abgekühlten Substratscheibe von einer Temperatur von nicht weniger als 500°C und nicht mehr als 550°C auf eine Temperatur von nicht weniger als 930°C und nicht mehr als 1000°C mit einer Aufheizgeschwindigkeit von nicht weniger als 0,5 K/min und nicht mehr als 1,5 K/min; und das Halten der Substratscheibe auf der Temperatur von nicht weniger als 930°C und nicht mehr als 1000°C über einen Zeitraum von nicht weniger als 7 Stunden und nicht mehr als 10 Stunden. |
