| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de test comprenant une prise de contact électrique sur le support (2) d'un substrat de type "semi-conducteur sur isolant" (1). Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - a) prendre un substrat (1) de type "semi-conducteur sur isolant" comprenant un substrat support (2) intégralement recouvert d'une couche d'isolant (3) et une couche active (4), une partie (31) de ladite couche d'isolant (3) étant enterrée entre la couche active et la face avant (21) du substrat support (2), - b) retirer une partie de ladite couche d'isolant (3) qui s'étend à la périphérie de la face avant (21) du substrat support (2) et/ou qui s'étend sur sa face arrière (22), de façon à délimiter au moins une zone accessible (210) du substrat support (2), exempte d'isolant, tout en conservant au moins une partie (321) de la couche d'isolant sur la face arrière, - c) appliquer une tension électrique à ladite zone accessible (210), de façon à effectuer ladite prise de contact électrique.</p> |
