| 发明名称 | 晶体管结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种晶体管的形成方法以及晶体管结构，在源/漏极形成之后，对源/漏极进行蚀刻形成结深与形状可控的源/漏极延伸区凹槽，同时可以通过深度控制源/漏极延伸区的结深，在降低预定的晶体管串联电阻的同时来控制晶体管的短沟道效应，从而达到有效提高晶体管的驱动性能的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN103871879B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201210526017.1 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 殷华湘 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上设有虚拟栅电极结构和虚拟侧墙，所述虚拟栅电极结构包括虚拟栅介质层以及形成于所述虚拟栅介质层上的虚拟栅电极，所述虚拟侧墙形成于所述虚拟栅介质层和所述虚拟栅电极两侧；对所述虚拟侧墙两侧的所述半导体衬底进行刻蚀，形成源/漏极凹槽；在所述源/漏极凹槽内形成源/漏极；去除所述虚拟侧墙；对所述源/漏极以及半导体衬底进行刻蚀，形成源/漏极延伸区凹槽，所述源/漏极延伸区凹槽位于所述源/漏极凹槽上方，并延伸至所述虚拟侧墙下，所述源/漏极延伸区凹槽的深度小于源/漏极凹槽的深度；在所述源/漏极延伸区凹槽内形成源/漏极延伸区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||