MONOLITHISCH INTEGRIERTE III-V-OPTOELEKTRONIK MIT SI-CMOS

摘要

Ein Verfahren zum Ausbilden monolithisch integrierter III-V-Optoelektronik mit einem komplementären Metalloxid-Silizium-Halbleiter-(CMOS, Complementary Metal-Oxide-Semiconductor-)Bauelement. Das Verfahren kann aufweisen: das Ausbilden eines versenkten Wellenleiters in einer versenkten Oxid-(BOX)-Schicht eines Halbleiter-auf-Isolator-(SOI-)Substrats; ein Ausbilden eines ersten optoelektronischen Bauelements und eines zweiten optoelektronischen Bauelements angrenzend an den versenkten Wellenleiter; und ein Ausbilden eines CMOS-Bauelements auf einer Halbleiterschicht über der BOX-Schicht.