半导体结构及其形成方法

摘要

本公开涉及半导体结构与其形成方法。一实施例的形成方法包含形成鳍状物于基板上。鳍状物包含第一结晶半导体材料于基板上，以及第二结晶半导体材料于第一结晶半导体材料上。此方法也包含将鳍状物中的至少部份第一结晶半导体材料与第二结晶半导体材料转换成介电材料，并移除至少部份的介电材料。此方法也包含形成栅极结构于鳍状物上，并形成源极/漏极区于栅极结构的相反两侧上。

主权项

一种半导体结构的形成方法，包括：形成一鳍状物于一基板上，该鳍状物包括一第一结晶半导体材料于该基板上，以及一第二结晶半导体材料于该第一结晶半导体材料上；使该鳍状物中的至少部份该第一结晶半导体材料与该第二结晶半导体材料转换成一介电材料；移除至少部份该介电材料；形成一栅极结构于该鳍状物上；以及形成源极/漏极区于该栅极结构的相反两侧上。