| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。 | ||
| 申请公布号 | CN106098757A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610281369.3 | 申请日期 | 2016.04.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 野上洋一;堀口健一;东坂范雄;渡边伸介;北野俊明 |
| 分类号 | H01L29/40(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有主面；多个源极电极及多个漏极电极，它们与所述半导体衬底的所述主面欧姆接合，所述多个源极电极及多个漏极电极彼此交替地配置；多个栅极电极，它们与所述半导体衬底的所述主面肖特基接合，所述多个栅极电极分别配置在所述多个源极电极和所述多个漏极电极之间；以及肖特基电极，其与所述半导体衬底的所述主面肖特基接合，所述多个漏极电极分别具有彼此被分割开的第1及第2部分，所述漏极电极的所述第1及第2部分的合计电极宽度比一根所述源极电极的宽度窄，所述肖特基电极配置在所述漏极电极的所述第1部分和所述第2部分之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||