发明名称 Halbleiterstruktur und Verfahren zum Herstellen von dieser
摘要 Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Halbleitersubstrat, mindestens eine dielektrische Schicht, eine dielektrische Spacer-Liner-Schicht (DSL-Schicht) und mindestens einen Leiter. Die dielektrische Schicht ist auf dem Halbleitersubstrat vorhanden. Die dielektrische Schicht weist mindestens ein Kontaktloch auf, das mindestens einen Abschnitt des Halbleitersubstrats freilegt. Das Halbleitersubstrat weist mindestens eine Aussparung auf, die mit dem Kontaktloch kommuniziert. Die Aussparung weist eine untere Fläche und mindestens eine Seitenwand auf. Die DSL-Schicht ist zumindest auf der Seitenwand der Aussparung vorhanden. Der Leiter ist zumindest teilweise in dem Kontaktloch vorhanden und ist elektrisch mit dem Halbleitersubstrat verbunden.
申请公布号 DE102015116912(A1) 申请公布日期 2016.11.17
申请号 DE201510116912 申请日期 2015.10.06
申请人 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 发明人 Hung, Chi-Cheng;Wang, Yu-Sheng;Chen, Kei-Wei;Chung, Ming-Ching
分类号 H01L29/45;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L29/45
代理机构 代理人
主权项
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