双极型晶体管及其制造方法

摘要

双极型晶体管,包括收集区、集电区中的基区和在基区内的发射区。导电体的一部分位于双极型晶体管的基区宽度之上。使发射区自对准于导电体构成的某部分,最好使发射区扩散进入基区,以便减少基区宽度而不依赖于在基区和导电体构成的该部分之间的非常精确的对准。导电体构成的该部分用于耗尽双极型晶体管的基区宽度的一部分。

主权项

1.一种双极型晶体管，其特征在于包括：半导体层；在该半导体层中的收集区，该收集区具有第一导电类型；具有第二导电类型的、位于该收集区内的基区，该基区具有一个基区宽度；不与该半导体层直接接触的导电体，该导电体覆盖于该基区宽度和收集区的一部分之上；以及具有第一导电类型的、位于基区内的发射区，基区宽度位于发射区和收集区之间。