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DESCRIBIMOS SUPERCONDUCTORES CON UNA TEMPERATURA CRITICA ALTA FORMADOS MEDIANTE HETEROESTRUCTURAS EN EL LIMITE ATOMICO QUE PUEDEN SER REALIZADOS ARTIFICIALMENTE MEDIANTE EPITAXIA DE HAZ MOLECULAR, DEPOSICION ELECTRONICA, LITOGRAFIA, SINTESIS QUIMICA, DEPOSICION ELECTROQUIMICA U OTRAS TECNOLOGIAS SIMILARES, REALIZADAS MEDIANTE UNA PLURALIDAD DE PRIMERAS PORCIONES DE UN MATERIAL METALICO SUPERCONDUCTOR FORMANDO UNA CELOSIA DE ELEMENTOS SUSTANCIALMENTE IGUALES CON PERIODO {LA}{SUB,P} CONSTANTE AL MENOS EN UNA PRIMERA DIRECCION (Y), Y UNA PLURALIDAD DE SEGUNDAS PORCIONES FORMADAS POR UN MATERIAL CON DIFERENTE ESTRUCTURA ELECTRONICA QUE LA DE LAS PRIMERAS PORCIONES, INTERCALADAS EN LAS PRIMERAS PORCIONES PARA OBTENER LA SEPARACION ENTRE DICHAS PRIMERAS PORCIONES; LA HETEROESTRUCTURA SE CARACTERIZA POR EL HECHO DE QUE LA PLURALIDAD DE PRIMERAS ESTRUCTURAS TIENE UN TAMAÑO (L) Y UN PERIODO ({LA}{SUB,P}) PARA CUMPLIR LA CONDICION DE LA CONDICION DE RESONANCIA DE LA FORMA DE LOS ELECTRONES EN EL NIVEL DE FERMI Y LA PLURALIDAD DE SEGUNDAS PORCIONES TIENE UN TAMAÑO (W) INFERIOR O DEL ORDEN DE LA LONGITUD DE COHERENCIA DE PIPPARD SUPERCONDUCTORA {XI}{SUB,0} DEL MATERIAL SUPERCONDUCTOR QUE FORMA LAS PRIMERAS PORCIONES. FIG. 2.
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