聚焦环和等离子体处理装置

摘要

提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

主权项

1.一种环状的聚焦环，被配置在下部电极上且将所述被处理基板的周围围住，下部电极载置用来收容被处理基板以实施规定的等离子体处理的处理室内的所述被处理基板，其特征在于，具备由介电物质构成的的下侧构件，和配置在该下侧构件的上部、由导电性材料构成上侧构件，所述上侧构件相对于高频电力连接到接地电位上，其构成为：所述上侧构件，相对于高频电力，通过由把绝缘层被覆在表面上的导电性构件构成的高频接地用构件，连接到接地电位上，所述高频接地用构件，通过所述绝缘层防止直流电流流动。