| 发明名称 | 用置换金属栅极工艺形成用于晶体管的无边沿接触体 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了形成半导体结构的方法。所述方法包括：在电介质层(201)中形成开口(311)，所述电介质层形成在基板(101)的顶部上，所述开口使所述基板中的晶体管(110)的沟道区域(102)暴露；沉积衬在所述开口内并覆盖所述沟道区域的功函数层(401)；形成覆盖所述功函数层的第一部分(411)的栅极导体(610)，所述功函数层的第一部分位于沟道区域的顶部上；以及去除所述功函数层的第二部分，所述功函数层的第二部分围绕所述功函数层的第一部分，其中，去除所述功函数层的第二部分使所述功函数层的第一部分与所述功函数层的其余部分(412)绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN103460358B | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201280015650.2 | 申请日期 | 2012.01.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S.波诺思;D.V.霍拉克;C.W.科伯格三世;杨智超 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，包括：在电介质层(201)中形成开口(311)，所述电介质层形成在基板(101)的顶部上，所述开口使所述基板中的晶体管(110)的沟道区域(102)暴露；沉积功函数层(401)，所述功函数层衬在所述开口内并覆盖所述沟道区域；形成栅极导体(610)，所述栅极导体覆盖所述功函数层的第一部分(411)，所述功函数层的所述第一部分在所述沟道区域的顶部上；以及去除所述功函数层的第二部分，所述功函数层的所述第二部分围绕所述功函数层的所述第一部分，其中所述去除所述功函数层的所述第二部分使所述功函数层的所述第一部分与所述功函数层的其余部分(412)绝缘。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||