活性ゾーンを有する半導体積層体を円柱状構造上に備えた発光アセンブリ

摘要

本発明は、アセンブリを製造する方法と、アセンブリのアレイと、円柱状構造（５）を有するアセンブリ（１）とに関する。アセンブリ（１）においては、円柱状構造（５）が一方の端部によって基板（２）上に配置されており、構造（５）が、電磁放射を生成する活性ゾーン（７）を有する半導体層構造（６）によって覆われており、活性ゾーン（７）が発光再結合のためのバンドギャップを有し、活性ゾーン（７）が、構造（５）の自由端部（２５）の方向にバンドギャップが減少していくように設計されており、したがって、構造（５）の自由端部（２５）の方向における電荷キャリアの拡散と、構造（５）の自由端部（２５）の領域における電荷キャリア対の発光再結合とが、支援される。