发明名称 WAFER PRODUCING METHOD
摘要 본 발명은, 화합물 단결정 잉곳의 단부면을 연삭하는 평탄화 공정에 있어서, 연삭 지석의 소모량을 억제할 수 있음과 더불어 연삭 시간을 단축할 수 있는 웨이퍼의 생성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다 제1 단부면과 상기 제1 단부면과 반대측의 제2 단부면을 갖는 화합물 단결정 잉곳으로부터 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서, 화합물 단결정 잉곳의 상기 제2 단부면을 척 테이블로 유지하고, 화합물 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 상기 제1 단부면으로부터 생성될 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 화합물 단결정 잉곳을 상대적으로 이동시켜 상기 레이저 빔을 상기 제1 단부면으로 조사하고, 상기 제1 단부면에 평행한 개질층 및 상기 개질층으로부터 신장되는 크랙으로 이루어진 분리면을 형성하는 분리면 형성 단계를 포함한다. 상기 분리면 형성 단계에 있어서, 화합물 단결정 잉곳을 구성하는 원자량이 큰 원자와 원자량이 작은 원자 중, 원자량이 작은 원자가 배열되는 극성면을 상기 제1 단부면으로 하고, 평탄화 단계에 있어서, 원자량이 작은 원자가 배열되는 극성면인 제1 단부면을 연삭하는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR20160123232(A) 申请公布日期 2016.10.25
申请号 KR20160042102 申请日期 2016.04.06
申请人 DISCO CORPORATION 发明人 HIRATA KAZUYA
分类号 H01L21/78;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/304;H01L21/76 主分类号 H01L21/78
代理机构 代理人
主权项
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