METHOD FOR PRODUCING AN IMPROVED FIELD EFFECT TRANSISTOR

摘要

Un substrat de type SOI est recouvert par un motif en matériau semi-conducteur qui comporte un motif de partage (8) en matériau électriquement isolant. Le motif de partage (8) est enrobé par un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs. Le motif en matériau semi-conducteur est recouvert par une électrode de grille (3) qui fait face au motif de partage (8). Le motif en matériau semi-conducteur et le motif de grille (3) sont recouverts par une couche de recouvrement (13b). Le substrat est éliminé pour accéder aux zones de source/drain (5, 6). Deux motifs de délimitation (17) sont formés pour recouvrir les zones de source (5) et de drain (6) et laisser libre le motif de partage (8). Une deuxième couche de couverture (19) est déposée et des trous d'accès sont formés pour accéder aux zones de source/drain (5, 6) par élimination des motifs de délimitation (17).