发明名称 |
基于荧光陶瓷及双层纳米光栅结构的偏振白光LED |
摘要 |
本发明公开了基于荧光陶瓷及双层纳米光栅结构的偏振白光LED,其可根据结构参数进行调制工作波段,其中在450nm~650nm可见光范围消光比大于20dB,TM波透过率高于60%。本发明在荧光陶瓷基底表面引入一层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷,并且在过渡层表面集成一种介质光栅和双层金属的复合结构,将复合结构与蓝光GaN基LED相耦合,最终实现偏振白光出射。过渡层和介质层光栅为氟化镁、二氧化硅、PMMA等半导体材料构成,纳米光栅为铝、银、金等金属材料构成。 |
申请公布号 |
CN106098910A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610714744.9 |
申请日期 |
2016.08.24 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
林雨;王钦华;陈玲华;王淼;胡敬佩;曹冰 |
分类号 |
H01L33/50(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;B82Y20/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L33/50(2010.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋;孙周强 |
主权项 |
一种基于荧光陶瓷及双层纳米光栅结构的偏振白光LED,其特征在于:所述基于荧光陶瓷及双层纳米光栅结构的偏振白光LED包括蓝光LED、荧光陶瓷基底、过渡层、介质光栅层、金属层;所述荧光陶瓷基底一面耦合蓝光LED,另一面复合过渡层;所述介质光栅层位于过渡层表面;所述金属层位于介质光栅层的凹槽以及凸起的表面;所述介质光栅层的周期为140 nm‑160nm,占空比为0.4‑0.6,高度为70nm‑90nm;所述金属层的高度为40nm‑60nm。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |