| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 按本发明,在将杂质离子注入衬底之前,通过用其直径和质量皆小于杂质离子注入工艺所用元素的元素进行离子注入,在衬底表面上形成细小龟裂,另外,热处理期间,在杂质离子向外扩散之前,形成于衬底表面上的细小龟裂就已愈合,因而防止了杂质离子向外扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1177201A | 申请公布日期 | 1998.03.25 |
| 申请号 | CN97111904.X | 申请日期 | 1997.06.25 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 权畅宪 |
| 分类号 | H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 袁炳泽 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：通过第一离子注入工艺在硅衬底表面上形成细小龟裂；通过第二离子注入工艺在所述硅衬底中注入杂质离子；及进行热处理，使所述注入的杂质离子与硅原子共价键合。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||