MEMS液晶光衰减器阵列及制作方法

摘要

本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种MEMS液晶光衰减器阵列及制作方法。MEMS液晶光衰减器阵列由单晶硅衬底(10)、入射光纤和出射光纤耦合阵列(5)、填充聚合物分散液晶材料的液晶微槽(4)组成，液晶微槽(4)内的聚合物分散液晶材料由占总重量30％～90％的液晶材料、5％～65％的聚合物单体与适量的稀释剂的混合物、1％～5％的光引发剂经充分搅拌后紫外固化而形成，其中聚合物单体与稀释剂的重量比为1∶5～5∶1。在单晶硅衬底(10)的电极对(7)上加有电场，可以实现对不同光通路中聚合物分散液晶材料的调制，从而实现对多个光通路的光的衰减，进而完成本发明MEMS液晶光衰减器阵列的目的。

主权项

1.MEMS液晶光衰减器阵列，由单晶硅衬底(10)、入射光纤和出射光纤耦合阵列(5)、填充聚合物分散液晶材料的液晶微槽(4)组成，其特征在于：a)在硅衬底上有自对准的V型槽阵列(1)，在包括V型槽阵列(1)在内的硅衬底(10)上依次淀积有二氧化硅层(3)和导电金属层(2)，其中二氧化硅层(3)起绝缘隔离作用，V型槽阵列(1)槽与槽间的导电金属层(2)彼此绝缘断开，形成驱动电极阵列；b)在入射光纤和出射光纤阵列(5)的端面和侧面淀积有ITO透明导电薄膜，入射光纤和出射光纤(5)放置在硅衬底自对准的V型槽阵列(1)内，其端面和侧面的导电薄膜与淀积在硅衬底上的金属层(2)相连，与同一路入射光纤和出射光纤相连的金属层(2)相互间绝缘断开，形成驱动电极的正负极电极对(7)；c)在耦合的入射光纤与出射光纤(5)形成的光通路上，与入射光纤和出射光纤垂直方向的硅衬底上刻有矩型液晶微槽(4)，在矩型液晶微槽内填充有制备好的聚合物分散液晶材料(5)，镀有ITO透明导电薄膜的入射光纤和出射光纤耦合阵列的端面紧贴聚合物分散液晶材料，从而制备出MEMS液晶光衰减器阵列。