| 发明名称 | 咔唑衍生物，和使用该咔唑衍生物获得的发光元件材料、发光元件和电子设备 | ||
| 摘要 | 目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中，R<SUP>1</SUP>表示选自以下基团中的任一个：含1－4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基，和含1－12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。 | ||
| 申请公布号 | CN101223138A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200680025758.4 | 申请日期 | 2006.07.10 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 川上祥子;大泽信晴;中岛晴惠;小岛久味;江川昌和;野村亮二 |
| 分类号 | C07D209/86(2006.01);C09K11/06(2006.01);H01L51/50(2006.01) | 主分类号 | C07D209/86(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈季壮 |
| 主权项 | 1.由以下通式表示的咔唑衍生物：<img file="S2006800257584C00011.GIF" wi="382" he="548" />其中R<sup>1</sup>表示选自含1-4个碳原子的烷基，和含1-12个碳原子的芳基中的任一个。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||