发明名称 |
栅控二极管非易失性存储器单元阵列 |
摘要 |
一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元,包含具有额外栅极端的二极管结构。示例性的实施例包含独立的存储器单元、这种存储器单元的阵列、运作该存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。 |
申请公布号 |
CN100502015C |
申请公布日期 |
2009.06.17 |
申请号 |
CN200610164063.6 |
申请日期 |
2006.12.06 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
廖意瑛;蔡文哲;叶致锴 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
林锦辉 |
主权项 |
1、一种以电荷储存状态储存数据的非易失性存储器器件集成电路,包含:非易失性存储器储存器件阵列,所述阵列中的每一个非易失性存储器储存器件包含:电荷储存结构;一个或多个储存介电结构,其至少一部份在所述电荷储存结构与二极管结构之间,且至少一部份在所述电荷储存结构与栅极结构之间;以及所述二极管结构,其具有以结分隔的第一节点、第二节点,所述第一节点、第二节点的至少一部份与所述一个或多个储存介电结构相邻,且所述二极管结构具有剖面,其中的所述第二节点具有相对端,所述相对端利用绝缘电介质与所述阵列中的相邻器件分隔。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |