半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中形成浅沟槽填充层；在浅沟槽填充层上形成衬垫盖层；向浅沟槽填充层中注入离子并退火，形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，通过向浅沟槽中填充材料注入离子而形成绝缘材料，由于填充材料体积膨胀而向衬底有源区施加压应力，从而提高了未来沟道区的载流子迁移率，提高了器件性能。

主权项

一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中沉积形成覆盖了浅沟槽的底面和所有侧面的氮化物或氮氧化物的衬垫层；在浅沟槽中形成浅沟槽填充层；在浅沟槽填充层上形成衬垫盖层，直接接触浅沟槽填充层的衬垫盖层材质与衬垫层的材料相同且为氮化物或氮氧化物；向浅沟槽填充层中注入离子并退火，形成浅沟槽隔离。