发明名称 ナノワイヤLEDの抽出効率を向上させる高誘電体膜
摘要 多様な実施形態は、ナノワイヤLED等の半導体デバイスであって、基台上に位置する第1導電型の複数の半導体ナノワイヤコアと、各ナノワイヤコアの上および周囲に延在する第2導電型の複数の半導体シェルと、前記ナノワイヤコアおよび前記シェルの少なくとも一方の表面の少なくとも一部の上に位置し、約1.4から約4.5の範囲内の屈折率を有する高屈折材料の層とを備える半導体デバイスを含む。光抽出効率は向上しうる。
申请公布号 JP2016519421(A) 申请公布日期 2016.06.30
申请号 JP20160501645 申请日期 2014.03.12
申请人 グロ アーベーGLO AB 发明人 ジ, シャオミン;ハーナー, スコット ブラッド
分类号 H01L33/42;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L21/205;H01L33/06 主分类号 H01L33/42
代理机构 代理人
主权项
地址