| 摘要 |
전자 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 반도체 메모리를 포함하는 전자 장치로서, 상기 반도체 메모리는, 변경 가능한 자화 방향을 갖는 자유층; 고정된 자화 방향을 갖는 고정층; 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 개재되는 터널 베리어층을 포함하고, 상기 자유층은, 제1 강자성체; 상기 제1 강자성체보다 작은 보자력을 갖는 제2 강자성체; 및 상기 제1 강자성체와 상기 제2 강자성체 사이에 개재되는 비정질 스페이서를 포함할 수 있다. |
