低损耗高隔离的倒装芯片小节点阵列射频开关及其移动终端

摘要

本发明公开了一种低损耗高隔离的倒装芯片小节点阵列射频开关及其移动终端，其特征是射频开关采用倒装芯片工艺，每个射频开关的串联通路的射频输入输出端口采用小节点或是高密度多个较小节点连接，每个射频开关的并联通路采用高密度较小节点接地。本发明能使用较小的倒装芯片节点连接射频信号输入输出端口从而减少了该节点与射频通路的耦合，使用高密度多个较小的倒装芯片节点接地从而减少了该节点的电感与射频开关的插入损耗，进而能够提高射频开关的隔离特性以及最大输出功率。

主权项

一种低损耗高隔离的倒装芯片小节点阵列射频开关，包括：M个串联通路、Q个并联通路和负载匹配电路；任意第i个串联通路包含N_i个串联的晶体管单元；任意第i个串联通路的第1个串联的晶体管单元的漏极连接射频信号的输入端口；第N_i‑1个晶体管单元的源极连接到第N_i个晶体管单元的漏极；任意所述第N_i个晶体管单元的源极连接所述射频信号的第i个输出端口；任意第j个并联通路有N_j个串联的晶体管单元；任意第j个并联通路的第1个串联的晶体管单元的漏极分别连接所述射频信号的第j个输出端口；第N_j‑1个晶体管单元的源极连接到第N_j个晶体管单元的漏极，任意所述第N_j个晶体管单元的源极接地；1≤i≤M且M≥2；1≤j≤Q且Q≥1；N_i≥2；N_j≥2；所述射频信号从所述M个串联通路的第i个串联通路的第1个串联的晶体管单元的漏极进入并经过N_i个串联的晶体管单元后，输出至所述射频信号的第i个输出端口；由所述倒装芯片射频开关的逻辑控制电路控制所述倒装芯片射频开关上所有晶体管单元的栅极，从而选择所述射频信号在所述M个串联通路中的开关路径；所述负载匹配电路对经过所述M个串联通路中选定的开关路径后的射频信号进行负载优化匹配后输出至天线；其特征是：设置一组地线GND节点；所述地线GND是由Q个倒装芯片小节点阵列组成，并分别设置在Q个并联通路的接地端；其中，第j个倒装芯片小节点阵列与第j个并联通路的接地端相连；设置一组射频信号节点，所述射频信号节点为M个串联通路的输入输出端口，并由M+1或是M+2个倒装芯片小节点阵列组成，其中，M个装芯片小节点阵列分别设置在射频信号的M个输出端口上；第i个倒装芯片小节点阵列与第i个串联通路的输出端口相连接；若所述倒装芯片射频开关为单刀多掷开关，则在所述射频信号的输入端口上设置一个倒装芯片小节点阵列；若所述倒装芯片射频开关为双刀多掷开关，则在所述射频信号的输入端口上设置两个倒装芯片小节点阵列。