| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，即使将金属膜加工，也可抑制在该金属膜下面形成的绝缘膜的减膜。在本发明的半导体装置的制造方法中，在栅极绝缘膜(3)上形成构成栅电极的金属膜(4)。然后，在加工该金属膜(4)时，通过使用预定药水的湿蚀刻处理来除去该金属膜(4)的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1956152A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610143658.3 | 申请日期 | 2006.10.27 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 东雅彦;久米聪;由上二郎;山成真市;丸山隆弘;菅野至 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：(A)在半导体衬底上形成绝缘膜的工序；(B)在所述绝缘膜上形成构成栅电极的金属膜的工序；以及(C)通过使用预定药水的湿蚀刻处理来除去所述金属膜的一部分的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||