半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明提出了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，一种氮化物半导体器件包括引线柱。将热沉设置在引线柱上。至少一个氮化物半导体发光元件与热沉相连。将用于检测来自半导体发光元件的光的光检测元件设置在引线柱上。用于按照密封方式在其中封装热沉、半导体发光元件和光检测元件的帽状物与引线柱相连。帽状物中的间隔具有封装气体氛围。封装气体氛围包含用于抑制在半导体发光元件中包含的氢原子扩散的成分。本发明抑制了由于操作电压增加导致的缺陷以增加良品率，从而提高了半导体发光器件的制造生产率。

主权项

1.一种半导体发光器件，包括：引线柱；设置在引线柱上的热沉；至少一个半导体发光元件，与热沉相连；设置在引线柱上的光检测元件，用于检测来自半导体发光元件的光；与引线柱相连的帽状物，用于按照密封方式在其中封装热沉、半导体发光元件和光检测元件；其中帽状物中的气体氛围包含用于抑制在半导体发光元件中包含的氢原子扩散的成分。