| 发明名称 | 具有应力体的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有应力体的半导体器件。彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽形成在基板中。沟道区被限定在第一沟槽和第二沟槽之间。栅介电层形成在沟道区上。栅电极形成在栅介电层上。应力体包括形成在第一沟槽和第二沟槽中的多个半导体层以及形成在半导体层之间的多个夹层。第一沟槽和第二沟槽的侧壁是V形(例如，具有“<”或“>”形状)。 | ||
| 申请公布号 | CN105679825A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201510684599.X | 申请日期 | 2015.10.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李哉勋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 弋桂芬 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板，包括第一沟槽、第二沟槽以及限定在所述第一和第二沟槽之间的沟道区，其中所述第一和第二沟槽彼此间隔开；设置在所述沟道区上的栅介电层；设置在所述栅介电层上的栅电极；和应力体，包括形成在所述第一沟槽和第二沟槽中的多个半导体层以及形成在所述半导体层之间的多个夹层，其中所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁是V形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||