半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，在该半导体器件中，即使使用金属平板作为支撑物，也能够减少该金属平板中的涡电流产生并且提高该半导体器件的RF电路的Q值。一种半导体器件，包括：金属平板1；第一绝缘材料层4a，其形成在金属平板1的一个主表面上；半导体芯片2，其通过粘合层3而被安装在第一绝缘材料层4a的表面上，其元件电路面向上取向；第二绝缘材料层4b，其密封半导体芯片2及其周边；布线层5，其被设置在第二绝缘材料层4b中并且部分地延伸到半导体芯片2的周边区域；导电部6，其被设置在第二绝缘材料层4b中并且连接半导体芯片2的元件电路面上的电极22与布线层5；以及外部电极7，其形成在布线层6上。

主权项

一种半导体器件，包括：金属平板；第一绝缘材料层，其形成在所述金属平板的一个主表面上；半导体芯片，其通过粘合层而被安装在所述第一绝缘材料层的表面上，其元件电路面向上取向；第二绝缘材料层，其密封所述半导体芯片及其周边；布线层，其被设置在所述第二绝缘材料层中并且部分地延伸到所述半导体芯片的周边区域；导电部，其被设置在所述第二绝缘材料层中并且连接所述半导体芯片的所述元件电路面上的电极与所述布线层；以及外部电极，其形成在所述布线层上。