肖特基二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管，包括阴极金属层，阴极金属层上的N型硅芯片，该N型硅芯片上具有开口的绝缘层，位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层。该肖特基二极管进一步包括该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中位于所述金属硅化物层周围的高浓度P型掺杂内环和位于所述高浓度P型内环外侧的高浓度P型掺杂外环；所述阳极金属层由钛铝金属构成。根据本发明制作而得的肖特基二极管，不仅其性能参数得到了改善，并且在不增加工艺步骤的情况下其生产制作的成品率获得显著提高。

主权项

一种肖特基二极管，包括阴极金属层；阴极金属层上的N型硅芯片；该N型硅芯片上具有开口的绝缘层；位于所述开口中及所述绝缘层上的阳极金属层；其特征在于，该肖特基二极管进一步包括，该N型硅芯片中位于所述阳极金属层下方的金属硅化物层，以及该N型硅芯片中位于所述金属硅化物层周围的高浓度P型掺杂内环和位于所述高浓度P型内环外侧的高浓度P型掺杂外环，所述开口部分地暴露所述P型掺杂内环的一部分及其内的金属硅化物层。