| 摘要 |
【課題】半導体基板を処理可能な、プラズマ反応チャンバの交換可能上側チャンバ部を提供する。【解決手段】円錐状内部表面の上端で最も表面が広がる該円錐状内部表面と該円錐状内部表面から水平に離れて突き出した上部フランジ４０２と円錐状内部表面から水平に離れて外向きに突き出した下部フランジ４０４とを有するモノリシック金属シリンダとを備える。このシリンダは、プラズマ反応チャンバの誘電窓に対してシールするよう構成された上部環状真空シーリング面とプラズマ反応チャンバの下方部に対してシールするよう構成された下部環状真空シーリング面とを含む。このシリンダの上方部の熱容量部４１６は、円錐状内部表面４１０と上部フランジ４０２から垂直に広がる外側表面との間のシリンダの一部分で定義され、円錐状内部表面４１０のアジマス方向の温度均一性を与える効果がある。シリンダの下方部に配置された熱チョーク４１４は、下部環状真空シーリング面を通る熱遷移を最小にする効果がある。この熱チョークは、６．３５ｍｍ（０．２５インチ）より小さい厚みを有し、円錐状内部表面の長さの少なくとも約２５％の長さで突き出す。【選択図】図８ |
