发明名称 |
氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法。以提高氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜(FTO)的电导率。以SnCl<sub>2</sub>·2H<sub>2</sub>O,NH<sub>4</sub>F为起始原料配置成溶胶后,通过将溶胶搅拌蒸发制成干凝胶,再溶解成溶胶的过程去除Cl<sup>‑</sup>;同时先在玻璃基底旋涂一层SiO<sub>2</sub>,阻止玻璃中的Na<sup>+</sup>,Ca<sup>+</sup>等杂质离子进入FTO薄膜;结合在氮气中退火等综合方法,进一步提高薄膜的导电性能。 |
申请公布号 |
CN104451610B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201410681488.9 |
申请日期 |
2014.11.24 |
申请人 |
辽宁大学 |
发明人 |
徐洪芳;王绩伟;李佳;范晓星;谭天亚;卢雪梅;康大为 |
分类号 |
C23C18/12(2006.01)I |
主分类号 |
C23C18/12(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 |
代理人 |
金春华 |
主权项 |
一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)称取适量的SnCl<sub>2</sub>·2H<sub>2</sub>O,溶于无水乙醇中,在60‑80℃下,持续剧烈搅拌,搅拌过程中加入适量的去离子水,搅拌成黏糊状,冷却至室温,再加入适量的无水乙醇,在50℃下继续搅拌20‑30min,形成溶胶,加入乙酸调节溶液的pH,加入NH<sub>4</sub>F水溶液,继续搅拌90‑100min,形成透明的锡氟溶胶;2)取适量的正硅酸乙酯缓慢滴入无水乙醇中,搅拌10‑15分钟,再滴加适量的去离子水,调节溶液的pH,室温下搅拌1‑2小时,静置,形成SiO<sub>2</sub>溶胶;3)于载体上,依次旋涂SiO<sub>2</sub>溶胶和锡氟溶胶后,先在100‑120℃下烘干,然后再放入450‑550℃的马弗炉中热处理10‑15min,最后进行退火处理,得氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜。 |
地址 |
110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号 |