| 摘要 |
Es werden ein Halbleitersubstrat (16) mit einer ersten Hauptfläche (16a) und einer zweiten Hauptfläche (16b) sowie ein Klebeband (1) mit einer dritten Hauptfläche (1a) und einer vierten Hauptfläche (1b) bereitgestellt, wobei die erste Hauptfläche (16a) einen Höchstdurchmesser von nicht weniger als 100 mm aufweist. Das an der dritten Hauptfläche (1a) des Klebebands (1) befestigte Halbleitersubstrat (16) wird in einer Aufnahmekammer (31) angeordnet. Die Aufnahmekammer (31) wird ausgepumpt, während eine Temperatur des Klebebands (1) bei nicht weniger als 100°C gehalten wird. Nach dem Schritt des Verringerns der Temperatur des Halbleitersubstrats (16) wird eine Elektrode (15) auf der zweiten Hauptfläche (16b) des Halbleitersubstrats (16) gebildet. Der Schritt des Auspumpens der Aufnahmekammer (31) umfasst einen Schritt des Auspumpens der Aufnahmekammer (31), während die Temperatur des Klebebands (1) bei nicht weniger als 100°C gehalten wird, wobei ein Raum zwischen der vierten Hauptfläche (1b) des Klebebands (1) und der Substrat-Halteeinheit (3) vorgesehen ist. Dementsprechend wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, das einen verringerten Kontaktwiderstand zwischen einem Halbleitersubstrat und einer Elektrode erzielen kann. |
