发明名称 |
校准和使用半导体处理系统的方法 |
摘要 |
提供了一种避免高温计温度读取错误的方法。上部高温计用于检测来自在标准处理条件下形成在测试基底上的测试层的红外辐射。来自测试层的红外辐射具有周期,该周期的长度表示该层的生长速率。该周期一般与生长速率成反比。则生长速率直接与温度有关。 |
申请公布号 |
CN1630941A |
申请公布日期 |
2005.06.22 |
申请号 |
CN03803764.5 |
申请日期 |
2003.02.12 |
申请人 |
应用材料有限公司 |
发明人 |
J·R·瓦图斯;D·K·卡尔森;A·V·萨莫伊洛夫;L·A·斯卡德;P·B·科米塔;A·A·卡尔帕蒂 |
分类号 |
H01L21/66 |
主分类号 |
H01L21/66 |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
1.一种方法,包括:测量测试层的测试变量,该测试层形成于处理腔中的测试基底上;使用该测试变量,以相对于参考处理变量,而在参考变量的统一数据集中选择一种参考处理条件,所述参考处理条件在所述参考变量中的位置取决于所述测试变量在所述参考变量中的位置;和在处理腔中的处理基底上形成处理层,用以形成该处理层的处理变量是以所述参考处理条件为基础的。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |