| 发明名称 | 半导体制造方法及附属装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体制造方法包括：在附属装置上设置衬底的工序；以及通过附属装置给衬底供给热能，并在衬底上把拥有两种以上V族元素或者IV族元素的混晶化合物半导体薄膜用有机金属气相生长法成膜的工序，附属装置设有承放衬底的平坦的附属装置本体与固定衬底的外周部的外周固定部，外周固定部不与衬底的外周部360°全周接触，而只与一部分接触。从而，在衬底上把拥有两种以上V族元素或者IV族元素的混晶化合物半导体薄膜用有机金属气相生长法成膜时，使该薄膜组分面内分布均一化。 | ||
| 申请公布号 | CN1956151A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610159526.X | 申请日期 | 2006.09.22 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 花卷吉彦 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/683(2006.01);C23C16/458(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造方法，其特征在于包括：在附属装置上设置衬底的工序；以及通过上述附属装置给上述衬底供给热能，并在上述衬底上把拥有两种以上V族元素或者IV族元素的混晶化合物半导体薄膜用有机金属气相生长法成膜的工序，上述附属装置设有承放上述衬底的平坦的附属装置本体和固定上述衬底的外周的外周固定部，上述外周固定部不与上述衬底外周固定部的360°全周接触，而只与一部分接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||