发明名称 用于磁场探测的纳米结构磁阻网络和相应的方法
摘要 在此描述了一种对包含多个磁阻元件(10;20;30)的类型的磁场(H<SUB>ext</SUB>,H<SUB>p</SUB>)进行响应的磁阻网络。按照本发明,一个或多个磁阻元件(10;20;30)包含至少一个纳米压缩(10;20;30)形式的磁阻元件,所述纳米压缩(10;20;30)包含由磁性材料制成的至少两个垫片(12,13;22,23),与所述磁性材料相关联的至少两个垫片(12,13;22,23)在基本上彼此相反的方向上分别被定向磁化(16,17;M1,M2)并且通过纳米通道(11;21)被连接,所述纳米通道(11;21)能够设立畴壁(15;25),所述畴壁(15;25)确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁(15;25)相对于所述纳米通道(11;21)的位置的函数的所述纳米压缩(10;20;30)的电阻(R)。
申请公布号 CN1955755A 申请公布日期 2007.05.02
申请号 CN200610151711.4 申请日期 2006.08.30
申请人 C.R.F.阿西安尼顾问公司 发明人 D·普利尼;A·罗托洛
分类号 G01R33/09(2006.01) 主分类号 G01R33/09(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;张志醒
主权项 1.一种对包含多个磁阻元件(10;20;30)的类型的磁场(Hext,Hp)进行响应的磁阻网络,其特征在于,所述一个或多个磁阻元件(10;20;30)包含至少一个纳米压缩(10;20;30)形式的磁阻元件,所述纳米压缩(10;20;30)包含由磁性材料制成的至少两个垫片(12,13;22,23),与之相关的是在基本上彼此相反的方向上定向的并通过纳米通道(11;21)连接的相应的磁化(16,17;M1,M2),所述纳米通道(11;21)能够设立畴壁(15;25),所述畴壁(15;25)确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁(15;25)相对于所述纳米通道(11;21)的位置的函数的所述纳米压缩(10;20;30)的电阻(R)。
地址 意大利奥尔巴萨诺