| 发明名称 | 高阻抗射频功率塑料封装 | ||
| 摘要 | 本公开内容涉及RF功率半导体器件。根据本公开内容的一个实施例，RF功率半导体器件(10)包括：半导体(RF)器件(12)；低温共烧陶瓷(LTCC)阻抗匹配结构(14)，其电气连接到RF器件；和塑料封装体(22)，其形成在RF器件和阻抗匹配结构上。LTCC阻抗匹配结构包括金属化层(28、36)，其覆盖该阻抗匹配结构的主体部分，并且包括金属化层上的钝化层(44)。该钝化层增强了塑料封装体的成型化合物对于金属化层的接合强度。部分金属化层通过钝化层暴露出来，用于能够在LTCC阻抗匹配结构和RF器件之间形成电气互连。优选地，根据本公开内容的实施例的RF功率塑料封装呈现出至少两倍于传统的RF功率塑料封装的终端阻抗的终端阻抗。 | ||
| 申请公布号 | CN100382258C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200480014807.5 | 申请日期 | 2004.05.28 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 罗伯特·J·麦克劳克林;亚历山大·J·埃利奥特;L·M·玛哈林甘;斯克特·D·马歇尔;皮埃尔-马里·J·皮耶尔 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/44(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李涛;钟强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：射频器件；低温共烧陶瓷阻抗匹配结构，其电气连接到射频器件；和塑料封装体，其形成在射频器件和阻抗匹配结构上。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||