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Verfahren und Vorrichtung zum Liefern einer nicht flüchtigen Speicherung bei einem programmierbaren Transistor. Das Verfahren umfasst ein Empfangen eines Datenwerts, der in dem programmierbaren Transistor gespeichert werden soll, und ein Programmieren des programmierbaren Transistors, um den empfangenen Datenwert zu speichern. Das Programmieren umfn programmierbaren Transistor. Die ausgewählte Spannung ist ausgewählt, um Träger in eine Gateoxidschicht des programmierbaren Transistors zu injizieren. Die Träger werden in der Gateoxidschicht des programmierbaren Transistors in der Abwesenheit der ausgewählten Spannung beibehalten, wodurch der programmierbare Transistor mit dem empfangenen Datenwert programmiert wird.
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