发明名称 一种区熔法生长硼酸铋锌单晶的方法
摘要 本发明涉及一种区熔法生长硼酸铋锌单晶的方法,该方法采用固相法合成粉末纯相,再利用区熔法装置生长晶体,通过用区熔法生长的硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>非线性光学晶体,具有生长晶体周期短,易生长,效率高;生长的晶体光学质量高,无宏观缺陷,纯度高,掺杂均匀;无需铂金坩埚,不受环境影响等优点。通过本发明所述方法获得的Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>晶体倍频发生器、上或下频率转换器,光参量振荡器等非线性光学器件用途,本发明所述方法为制备大尺寸Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>非线性光学晶体提供了心的途径。
申请公布号 CN103966669B 申请公布日期 2016.06.08
申请号 CN201410222532.X 申请日期 2014.05.23
申请人 新疆维吾尔自治区产品质量监督检验研究院 发明人 鹿毅;李弘毅;冉文生
分类号 C30B29/22(2006.01)I;C30B13/34(2006.01)I 主分类号 C30B29/22(2006.01)I
代理机构 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 代理人 李静
主权项 一种区熔法生长硼酸铋锌单晶的方法,其特征在于采用固相法合成粉末纯相,再利用区熔法装置生长晶体,具体操作按下列步骤进行:a、粉末纯相合成:将含铋、含锌和含硼化合物称取放入研钵中,混合并仔细研磨,然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中,放入马弗炉中,缓慢升温至550℃,恒温24小时,冷却至室温,取出经第二次研磨之后放入马弗炉中,再升温至650℃,恒温48小时,冷却至室温,取出经研磨得到硼酸铋锌化合物单相多晶粉末,再对该产物进行粉末X射线分析,所得粉末X射线谱图与硼酸铋锌(Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)单晶结构得到的X射线谱图是一致的;b、料棒制备:将步骤a烧制成的硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>粉末纯相,并研磨细化后,将粉末加入含浓度为5%的多晶酒精溶液混合,放入橡胶管中并抽真空5‑10分钟后,在等静压60‑90Mpa的压力下压制成实心橡胶管棒,将实心橡胶管棒温度80℃,烘干8小时后,剪掉外层橡胶管,放置在管式加热炉中再次烧结,温度550‑650℃,烧结12‑24小时,得到硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>多晶棒;c、利用区熔法装置初调节:在现有的区熔法装置中心放入一平面镜,通过平面镜成像,上下左右调节的四盏卤素灯,使其成同一水平面,然后再前后调节四盏卤素灯,使其焦点处于水平面的中心;d、Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>多晶棒安装:取两根步骤b中制得的硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>多晶棒,在区熔法装置中,上下对接成一条竖直的直线,空隙2‑3mm,使上下两根硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>多晶棒的缝隙处在灯光的焦点上;e、晶体生长:缓慢调节区熔法装置中的升温速率在20‑50℃/min,固定区熔法装置中的硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>多晶棒的转速在10‑30r/min,通过聚焦镜的观察,待上下两根硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>多晶棒的顶端刚好处于熔化状态时,通过上下棒的移动进行缓慢对接,对接成功后,待硼酸铋锌Bi<sub>2</sub>ZnB<sub>2</sub>O<sub>7</sub>晶体形貌稳定,通过控制区熔法装置,使晶体生长速率在2‑5mm/h;f、降温冷却:生长完成后,缓慢降低区熔法装置的温度至卤素灯全部熄灭,降温时间为0.5‑2h,打开通风装置逐步冷却至室温,即可得到硼酸铋锌单晶。
地址 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市河北东路188号