发明名称 |
发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管,生长方法包括如下步骤:1)向反应室中通入氢气、氨气和第一金属源,生成缓冲生长层;2)向反应室通入氢气、氨气和第二金属源,缓冲生长层生长为未掺杂层;3)向反应室通入氨气、第三金属源和硅原子,生成N型重掺杂层;硅原子浓度为1×10<sup>19</sup>~1×10<sup>20</sup>个/cm<sup>3</sup>;4)向反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟,生成多量子阱层;其中,所述硅原子浓度为1×10<sup>18</sup>个/cm<sup>3</sup>;5)向反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子,生成发光二极管外延结构。本发明的生长方法通过生成V型缺陷降低非辐射复合几率,提升二极管外延结构的发光率。 |
申请公布号 |
CN105720137A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201610091893.4 |
申请日期 |
2016.02.18 |
申请人 |
圆融光电科技股份有限公司 |
发明人 |
黄小辉;米亭亭;周德保;康建;梁旭东 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
马爽;黄健 |
主权项 |
一种发光二极管外延结构的生长方法,其特征在于,包括如下顺序的步骤:1)向反应室中的衬底层通入氢气、氨气和第一金属源,在所述衬底层上生成厚度为10~50nm的缓冲生长层;2)向所述反应室通入氢气、氨气和第二金属源,所述缓冲生长层生长为厚度为50~3000nm的未掺杂层;3)向所述反应室通入氨气、第三金属源和硅原子,在所述未掺杂层上生成厚度为500~3500nm的N型重掺杂层;所述硅原子浓度为1×10<sup>19</sup>~1×10<sup>20</sup>个/cm<sup>3</sup>;4)向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟,在所述N型重掺杂层上生成厚度为10~6000nm的多量子阱层;其中,所述硅原子浓度为1×10<sup>18</sup>个/cm<sup>3</sup>;5)向所述反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子,生成发光二极管外延结构。 |
地址 |
243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 |